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Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F)
| Artikelnummer: | RN2706JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RN2706JE(TE85L,F).Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Supplier Device-Gehäuse ESV Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Leistung - max 100mW Verpackung / Gehäuse SOT-553 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 200MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer RN2706 RN2706JE(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English] RN2706JE(TE85L,F) PDF - EN.pdf -
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